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三星宣布推出EUV技术 7/11纳米LPP工艺

作者: the weeknd 来源: 未知 发布时间:2017-09-12

自2014年以来,三星已经生产了近20万块EUV光刻圆晶,在256MB的SRAM上实现了80%的良品率。三星将在3年内从14nm工艺逐步过渡到11nm,10nm,8nm和7nm。有关三星半导体路线图最新的消息,包括11nm LPP和7nm EUV的开发,三星将在2017年9月15日的日本东京三星半导体技术论坛中详细讲解。

(原标题:三星宣布推出EUV技术7、11纳米LPP工艺:明年开始投产)

荷兰ASML公司制造的EUV光刻机是所有半导体厂商梦寐以求的抢手货,但制造难度极高的EUV(极紫外)光刻机在据说今年内的年产量只有12台,也就是1个月只有1台能出售给半导体厂商。不过三星始终是三星,在半导体领域的影响力确实是大,今天三星就宣布推出采用EUV技术的11nm LPP和7nm LPP工艺,他们的半导体路线图又向前迈进了一步。

对比早期的14nm LPP工艺,11nm LPP工艺同功耗情况下性能提升15%,而芯片面积却降低10%,除了在旗舰手机芯片上使用10nm FinFET工艺外,三星还打算将11nm工艺处理器使用在中高端手机,11nm工艺计划在2018年上半年投产。三星还证实采用EUV光刻技术的7nm LPP工艺芯片正在开发当中,目标是在2018年下半年投产。

自2014年以来,三星已经生产了近20万块EUV光刻圆晶,在256MB的SRAM上实现了80%的良品率。三星将在3年内从14nm工艺逐步过渡到11nm,10nm,8nm和7nm。有关三星半导体路线图最新的消息,包括11nm LPP和7nm EUV的开发,三星将在2017年9月15日的日本东京三星半导体技术论坛中详细讲解。

本文来源:IT之家责任编辑:韩一冰_NT3945

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